成田 哲生 | 名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター

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概要

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• 名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センターの論文著者

関連著者

• 成田 哲生

  名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター

• 斎藤 真司

  (株)東芝 研究開発センター

• 波多腰 玄一

  (株)東芝材料デバイス研究所

• 橘 浩一

  (株)東芝 研究開発センター

• 財満 康太郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 名古 肇

  (株)東芝 研究開発センター

• 布上 真也

  (株)東芝 研究開発センター

• 成田 哲生

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 波多腰 玄一

  (株)東芝 研究開発センター

• 布上 真也

  早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所

• 波多腰 玄一

  東芝 研開セ

• 布上 真也

  (株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー

• 波多腰 玄一

  (株)東芝研究開発センター

• 本田 善央

  名古屋大学

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 加藤 友将

  名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 山口 雅史

  名古屋大学

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著作論文

• 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)

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