電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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InGaN量子井戸を活性層とする発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)を試料として、電流注入による内部量子効率を評価する方法を検討した。パルス電流注入時のエレクトロルミネッセンスの発光緩和寿命の測定を用いた評価方法のモデルとその測定のための実験系を説明する。実際にLEDについて内部量子効率を見積もり、注入電流の増大とともに内部量子効率が増大していくことが観察された。
- 2006-09-28
著者
-
斎藤 真司
(株)東芝 研究開発センター
-
波多腰 玄一
(株)東芝材料デバイス研究所
-
成田 哲生
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
-
橘 浩一
(株)東芝 研究開発センター
-
財満 康太郎
(株)東芝 研究開発センター
-
名古 肇
(株)東芝 研究開発センター
-
布上 真也
(株)東芝 研究開発センター
-
成田 哲生
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
波多腰 玄一
(株)東芝 研究開発センター
-
布上 真也
早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所
-
波多腰 玄一
東芝 研開セ
-
布上 真也
(株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー
-
波多腰 玄一
(株)東芝研究開発センター
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