GaN系レーザにおけるオーバーフロー電流の解析
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概要
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GaN系青色半導体レーザは次世代光ディスクシステム実現のキーデバイスとして盛んに開発が進められている。GaN系レーザの実用化のためには、しきい値を低減することが重要な課題となっている。しきい値の高い要因はいくつか考えられるが、他の材料系のレーザでも議論されてきたキャリアオーバーフローがGaN系でも支配的要因になる可能性がある。本報告では一次元シミュレーションによりSCH構造GaN系レーザのキャリアオーバーフローを解析し、p層アクセプタ濃度の増大および活性層体積の減少などによって著しくオーバーフローを低減できる可能性があることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-17
著者
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波多腰 玄一
(株)東芝材料デバイス研究所
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波多腰 玄一
(株)東芝 研究開発センター
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波多腰 玄一
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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波多腰 玄一
東芝
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笹沼 克信
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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