ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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ウルツ鉱構造InGaNでは伝導帯側にバンドギャップエネルギーと同じオーダーのエネルギー差を持つバンドがあり,これを介したウルツ鉱構造特有のオージェ過程がデバイス特性に大きく影響する可能性がある.強束縛法によりInGaNのバンド構造を解析し,それを基にオージェ再結合係数を解析した.波長450nm付近でのオージェ再結合係数は10^<-41>m^6/sと極めて大きく,オージェ再結合がLEDの効率に影響を及ぼす十分な大きさである.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-22
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