ドライエッチングによるマイクロキャビティレーザの作製 : AlAs/AlGaAs多層膜エッチング条件の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
RIBEによる円柱型マイクロキャビティの作製について検討した。エッチングガスには、Cl_2, Ar混合ガスおよびCl_2を用いた。Cl_2/Ar混合ガスを用い、Ar圧力0.5mTorr、Cl_2圧力0.5mTorr以下の条件でGaAsとAlAsの等速エッチングが可能であった。また、AlAs/AlGaAs多層膜のエッチングにおいても、垂直で凹凸の小さいエッチング側壁が得られた。この条件で直径約1.5μmの円柱型マイクロキャビティが作製できた。作製したマイクロキャビティの時間分解PL測定を行い、三次元光閉じ込め構造において自然放出確立の増大が観察された。また、時間分解PLを用いた加工損傷の評価を行ったが、直径3μm以上の円柱では加工損傷は検出されなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-22
著者
-
中村 優
光技術研究所
-
手塚 勉
東芝研究開発センター
-
布上 真也
東芝研究開発センター
-
吉田 春彦
光技術研究所
-
西部 徹
東芝研究開発センター
-
野田 隆夫
東芝研究開発センター
-
布上 真也
Rwcp光東芝研究室
-
布上 真也
(株)東芝 研究開発センター
-
布上 真也
早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所
-
布上 真也
(株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー
関連論文
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロキャビティー・レーザーの共鳴光励起発振
- ドライエッチングによるマイクロキャビティレーザの作製 : AlAs/AlGaAs多層膜エッチング条件の検討
- 青色半導体レ-ザの開発現状 (特集 次世代エレクトロニクスを展望する)
- 面型光増幅器の利得特性と多段接続性に関する検討
- InGaAsP面型光増幅器の多段接続に関する検討
- 面型光増幅器
- 面型光増幅器の増幅特性
- 面型光増幅器における増幅特性の検討
- 相補型光配線技術
- 低しきい値量子井戸レ-ザの高速,零バイアス変調 (光集積回路特集)
- 窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ
- 化合物半導体の製造プロセス・装置の最新動向 (特集1 化合物半導体の開発・応用動向)
- 高出力青紫色半導体レーザ
- 分光分析用広範囲の可変波長コヒーレント中赤外光源の開発
- MOCVD成長InAlAs/InGaAs HEMTのFeドープInPバッファ層の検討
- 222 Fe_tO-P_2O_5 系中の P_2O_5 の活量係数に及ぼす CaO, MgO, MnO, SiO_2 の影響(溶銑予備処理(除樋)・取鍋精錬・精錬基礎, 製鋼, 日本鉄鋼協会第 111 回(春季)講演大会)
- 超高真空高温用質量分析計の試作
- 高温質量分析法の状態図作成への応用(昭和 62 年度石原・浅田研究助成金による研究報告)
- 質量分析法による Fe_tO-P_2O_5 系中の P_2O_5 と CaO, MgO, MnO 及び SiO_2 の相互作用母係数の測定
- 質量分析法による Fe-Sn 系の二液相分離領域の決定および 1550℃, 1600℃での活量測定
- 発光させる : LED素子の現状と今後(LED照明を支える要素技術)
- 発光させる : LED素子の現状と今後
- ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)