MOCVD成長InAlAs/InGaAs HEMTのFeドープInPバッファ層の検討

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概要

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InP基板上のInAlAs/InGaAs HEMT構造のMOCVD成長について、InPバッファ層/InP基板界面の残留不純物ドナーによる界面キャリアの濃度を低減化するために、FeドープInPをバッファ層に用いた。Feドーピングは界面キャリア濃度を低減化する効果を持つということが、一次元シミュレーションで確認できた。この計算結果は、MOCVD成長層のHall測定結果と一致した。また、Fe拡散、エピ層表面平坦性、HEMT構造の二次元電子ガス(2DEG)特性を評価したところ、2DEGへのFeの影響はないことか分かった。これらの結果から、Feドーピングが、高品質なInPバッファ層を成長するための手段として、有効だということが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-05-18

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