波多腰 玄一 | 東芝 研開セ
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概要
関連著者
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波多腰 玄一
(株)東芝 研究開発センター
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波多腰 玄一
東芝 研開セ
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波多腰 玄一
(株)東芝研究開発センター
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波多腰 玄一
(株)東芝材料デバイス研究所
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター
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布上 真也
早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー
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高岡 圭児
(株)東芝 研究開発センター
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斎藤 真司
(株)東芝 研究開発センター
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成田 哲生
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
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橘 浩一
(株)東芝 研究開発センター
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財満 康太郎
(株)東芝 研究開発センター
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名古 肇
(株)東芝 研究開発センター
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成田 哲生
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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石川 正行
(株)東芝研究開発センター
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高岡 圭児
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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大橋 真
Rwcp光東芝研究室
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中村 優
光技術研究所
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布上 真也
Rwcp光東芝研究室
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中村 優
RWCP光東芝研究室
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高岡 圭児
東芝 研究開発センター
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石川 正行
東芝 研究開発センター
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波多腰 玄一
東芝 研究開発センター
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波多腰 玄一
株式会社東芝 研究開発センター
著作論文
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 面型光増幅器の増幅特性
- 665nm帯InGaAlP赤色面発光レーザ
- 赤色面発光レーザ
- InGaAlP赤色面発光レーザ
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- LEDとLED照明
- ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析 (電子デバイス)