澤木 宣彦 | 愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻

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概要

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関連著者

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 山口 雅史

  名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 本田 善央

  名古屋大学

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 高木 英俊

  宇部工業高等専門学校

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学

• 白 知鉉

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 白 知鉱

  名古屋大学工学研究科

• 西本 宜央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 横井 美典

  名古屋大学工学研究科

• 田中 宏佳

  名古屋大学工学研究科

• 田中 宏佳

  名大工

• 加藤 友将

  名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中島 由樹

  名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 市橋 弘英

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 堀内 功

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 彦坂 年輝

  名古屋大学工学研究科

• 小出 典克

  名古屋大学工学研究科

• 中村 剛

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 亀代 典史

  名古屋大学院 工学研究科 電子工学専攻

• 谷川 智之

  名古屋大学工学研究科

• 黒岩 洋佑

  名古屋大学工学研究科電子工学専攻

• 小出 典克

  名古屋大学工学部電子工学科

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学

• 吉田 隆

  名大工

• 吉田 隆

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 高木 英俊

  名大工学部

• 山口 雅史

  名大工学部

• 澤木 宣彦

  名大工学部

• 川口 靖利

  名大・工

• 川口 靖利

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 西脇 達也

  名古屋大学工学研究科

• 樋口 恭明

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 西本 宜央

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 成田 哲生

  名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター

• 鳥飼 正幸

  名古屋大学 工学研究科電子工学専攻

• 吉田 隆

  名古屋大学大学院工学研究科エネルギー理工学専攻

• 樋口 恭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 鳥飼 正幸

  名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター

• 大竹 洋一

  名古屋大学 工学研究科 電子工学専攻

• 大竹 洋一

  名古屋大学工学研究科電子工学専攻

• 白 知鉱

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター

• 白 知鉱

  名古屋大学大学院工学研究科 電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター

• 石田 充

  名大工学部

• 澤木 宣彦

  名大工

• 山口 雅史

  名大工

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 澤木 宣彦

  赤崎記念研究センター

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著作論文

• Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 20aYH-2 ナノスケール開放系スタジアムにおける電子波束の時間発展
• 導波路結合型三重量子ディスク構造における光制御(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 14pYC-11 量子ディスク・光導波路近接構造における励起子と励起子ポラリトンの共鳴結合(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
• 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
• (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
• (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
• 量子ドットにおける電子散乱とフラクタル的量子伝導 (特集 量子力学とカオス--広がりゆく交流と展望)
• パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
• MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
• 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
• 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
• MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六法晶GaN微細構造の作製と制御
• MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御
• (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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