本田 善央 | 名古屋大学工学研究科
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概要
関連著者
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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名古屋大学
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名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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名城大学 理工学部材料機能工学科
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名城大学理工学研究科
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杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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名古屋大学工学研究科
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小出 典克
名古屋大学工学研究科
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天野 浩
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名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
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名古屋大学大学院工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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今出 完
阪大院工
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科
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名城大学大学院理工学研究科
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北岡 康夫
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名古屋大学院 工学研究科 電子工学専攻
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創光科学
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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川口 靖利
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鳥飼 正幸
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大竹 洋一
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名城大理工
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澤木 宣彦
赤崎記念研究センター
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上山 智
名城大学・理工学部
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科:赤崎記念研究センター
-
山口 雅史
名古屋大学大学院工学研究科
著作論文
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- (00l)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 (シリコン材料・デバイス)
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定--非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET (シリコン材料・デバイス)
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定--非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET (電子部品・材料)
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定--非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET (電子デバイス)
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 (電子部品・材料)
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 (電子デバイス)
- 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
- 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
- MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六法晶GaN微細構造の作製と制御
- MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 (電子部品・材料)
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響