天野 浩 | 名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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概要
関連著者
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター
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天野 浩
名古屋大学
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岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科
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竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
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赤崎 勇
名城大学理工学部電機電子工学科
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岩谷 素顕
名城大学・理工学部
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上山 智
名城大学理工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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竹内 哲也
名城大学理工学部
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天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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天野 浩
名城大学 理工学部材料機能工学科
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本田 善央
名古屋大学
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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山口 雅史
名古屋大学
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赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
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竹内 哲也
名城大理工
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岩谷 素顕
名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学大学院理工学研究科
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赤崎 勇
名城大学大学院理工学研究科
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竹内 哲也
名城大学大学院理工学研究科
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上山 智
名城大学・理工学部
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山口 雅史
名古屋大学工学研究科
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本田 善央
名古屋大学工学研究科
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本田 善央
名古屋大学大学院工学研究科
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山本 翔太
名城大学理工学部
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桑原 洋介
名城大学理工学部
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藤井 崇裕
名城大学理工学部
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杉山 貴之
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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磯部 康裕
名城大学大学院理工学研究科
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山下 浩司
名城大学大学院理工学研究科
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加賀 充
名城大学大学院理工学研究科
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矢木 康太
名城大学大学院理工学研究科
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杉山 徹
名城大学理工学部
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竹田 健一郎
名城大学理工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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杉山 貴之
名城大学理工学研究科
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竹田 健一郎
名城大・理工
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北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
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谷川 智之
名古屋大学工学研究科
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竹田 健一郎
名城大学
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竹田 健一郎
名城大
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今出 完
大阪大学大学院工学研究科
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押村 吉徳
名城大学大学院理工学研究科
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター
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谷川 智之
名古屋大学大学院工学研究科
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天野 浩
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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白 知鉉
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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池田 和弥
名城大学理工学部
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磯部 康裕
名城大学理工学部
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一木 宏充
名城大学理工学部
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堀尾 尚文
名城大学理工学部
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榊原 辰幸
名城大学理工学部
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森田 義己
名城大学理工学部
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター
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森 勇介
阪大・院工
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飯田 大輔
名城大学理工学研究科
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北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
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北野 司
名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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赤崎 勇
名古屋大学工学部
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天野 浩
名城大
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永田 賢吾
名城大・理工
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今出 完
阪大院工
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
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白 知鉱
名古屋大学工学研究科
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平野 光
大阪ガス開発研究部
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竹田 健一郎
名城大学大学院理工学研究科
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平松 和政
名古屋大学工学部電子工学科
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森 勇介
大阪大 工
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澤木 宣彦
愛知工業大学工学部
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山本 準一
名城大・理工
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鈴木 敦志
エルシード株式会社
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平野 光
創光科学
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ペルノー シリル
創光科学
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朴 貴珍
名古屋大学大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
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稲津 哲彦
創光科学
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藤田 武彦
創光科学
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中尾 達郎
名城大学理工学部
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藤山 泰治
名城大学理工学部
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井手 公康
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大学理工学研究科
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永田 賢吾
名城大学理工学研究科
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青島 宏樹
名城大学理工学研究科
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伊藤 駿
名城大学理工学研究科
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加賀 充
名城大学理工学部
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山下 浩司
名城大学理工学部
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矢木 康太
名城大学理工学部
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伊藤 駿
名城大・理工
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青島 宏樹
名城大・理工
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竹原 孝祐
名城大・理工
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平松 和政
三重大
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田畑 拓也
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター
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澤木 宣彦
愛知工業大学
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森 美貴子
名城大学理工学部
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井手 公康
名城大学大学院理工学研究科
-
山本 準一
名城大学大学院理工学研究科
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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赤崎 勇
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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北野 司
エルシード株式会社
-
北野 司
名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー
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伊藤 健治
名古屋大学工学部
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小出 典克
名古屋大学工学研究科
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小出 康夫
名古屋大学工学部電子工学科
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小出 康夫
独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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平松 和政
三重大 工
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沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
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小出 典克
名古屋大学工学部電子工学科
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小出 康夫
京都大学材料工学
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川本 武史
名古屋大学工学部
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澤木 宣彦
名古屋大
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沢木 宣彦
名大・工
著作論文
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- UV LEDによるJurkat細胞への紫外線照射特性
- LED技術の現状と将来展望 (特集 LEDの要素技術とディスプレイ応用展開)
- 純青色GaNレーザーの高出力化 (「レーザー表示装置に向けての光源新展開」特集号)
- Al_x,Ga_N/GaN多層構造の作製と評価 : エピタキシーI
- MOVPE法によるサファイヤ基板上へのGaN結晶成長におけるバッファ層の効果
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNホモ接合及びAlGaN/GaNヘテロ接合を用いた青色・紫外発光素子
- GaN系半導体レ-ザ-の可能性
- GaNpn接合青色・紫外発光ダイオ-ド
- GaNはなぜ注目されるのか?--電子線照射効果の解明,特性改善が今後の焦点 (フルカラ-ディスプレイ最後のハ-ドル--「青色LED」への挑戦!!)
- GaN青色光・紫外線発光素子
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
- 窒化物太陽電池の電極構造検討
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)