沢木 宣彦 | 名大・工

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概要

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• 天野 浩

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著作論文

• TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
• AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
• M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
• InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
• Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
• 30p-Z-6 二重量子井戸構造における光伝導 II
• 3a-C-3 二重量子井戸構造における光伝導
• 6p-A2-7 極薄膜超格子におけるラフネス散乱
• 5a-A2-15 二重量子井戸構造における実空間遷移
• 28a-F-17 半導体超格子のホットエレクトロン
• 28a-A-14 二重量子井戸のホトルミネセンス
• 1a-BJ-2 半導体の高電界下の核酸係数
• 5a-NL-18 Time-of-Flight法によるP-Siの電子移動度
• 1a-K-4 P-Siにおける暖かい電子
• 3p-B-7 Time-of-Flight法によるSiの拡散係数
• GaP-PCl_3系によるGe上へのGaP気相エピタキシャル成長 : III-V族化合物半導体など
• 30a-D-2 高電界下の非線型伝導
• 4a-LT-7 高電界下の非線型伝導 III
• 1a-BJ-1 高電界下の非線型伝導 II
• 4p-M-4 高電界下の非線型伝導
• 6p-B-2 Siの高電界効果
• 14a-E-21 p-Si中の電子移動度
• 29p-N-12 Time-of-Flight法によるP-Si中の電子移動度
• 1a-F-11 Siにおける少数キャリアーの拡散係数
• InGaAsP/GaAs・LPE成長の界面不安定性現象と解析 : ステップ運動
• 4a-WB-13 Si電子・正孔プラズマ中のホットエレクトロン
• 2a-D-19 二重量子井戸細線の電気伝導
• 28a-A-6 半導体超格子の2次元ポラロン
• 3p-F-2 半導体超格子・超構造の電子-格子相互作用-III
• 3p-A-3 半導体超格子・超構造の電子・格子相互作用II
• 半導体極微デバイスの非線型緩和(基研短期研究会「非平衡緩和過程の統計物理」報告,研究会報告)
• 1a-KC-1 超格子・超構造の電子格子相互作用
• 14a-E-22 半導体のバリスティック効果 II
• 29p-N-13 半導体のバリスティック効果
• 1a-Pα-2 半導体のバリスティック効果
• 5a-NL-17 高電界下の非線型伝導
• 1a-K-5 高電界下の非線型伝導
• 3p-B-2 高電界下の非線型伝導
• 3a-B-11 ZnSの高電界伝導 II
• 11a-P-2 高電界下の非線型伝導
• 2p-L1-10 半導体超格子のホットエレクトロン-II(半導体,(表面・界面・超格子))
• 28a-G-5 二重量子井戸構造における実空間遷移の計算機シミュレーション(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
• 29a-G-6 二重量子井戸構造における光吸収(29aG 半導体(超格子))

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