2a-D-19 二重量子井戸細線の電気伝導

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-09-12

著者

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部

• 赤崎 勇

  名大・工

• 沢木 宣彦

  名大・工学部

• 沢木 宣彦

  名古屋大学工学部電子工学科

• 奥野 英一

  名大・工

• 澤木 宣彦

  名古屋大

• 赤崎 勇

  名城大学

• 沢木 宣彦

  名大・工

• 石田 明

  名大・工

関連論文

• ホログラフィによる熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの熱変形パターン計測
• 熱ストレスを受けたプリント配線板用コネクタの接触抵抗とホログラフィによる熱変形計測
• 青色発光ダイオードを求めて
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
• 結晶成長と電子工学 : 招待講演II
• GeのVapor growth VII : 半導体(エピタキシー)
• 気相成長によるホール素子(III) : 応用半導体
• GaAsのTransport reaction : 応用半導体
• 半導体気相成長膜の比抵抗測定 : 応用半導体
• Ge沃化物の熱分解及び水素還元反応の考察 : 応用半導体
• GeのVapor growth VI(半導体(拡散,エピタキシー)
• GeのVapor growth (V)(半導体(拡散,エピタキシー)
• GeのVapor Growth (IV) : 半導体
• GeのVapor Growth (III) : 半導体
• 7a-L-5 GeのVapor growth (II)
• 11a-A-11 GeのVapor growth
• 11a-A-3 マイクロ波領域の半導体による吸收の低電界効果
• TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
• 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
• AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
• M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
• InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
• Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
• 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
• 30p-Z-6 二重量子井戸構造における光伝導 II
• 3a-C-3 二重量子井戸構造における光伝導
• 6p-A2-7 極薄膜超格子におけるラフネス散乱
• 5a-A2-15 二重量子井戸構造における実空間遷移
• 28a-F-17 半導体超格子のホットエレクトロン
• 28a-A-14 二重量子井戸のホトルミネセンス
• 15a-N-1 AlNの赤外反射
• 12p-K-14 GaAs_Px混晶における電子有効質量
• 3p-C-9 GaAs_P_x混晶の赤外反射
• 13p-H-7 Impure Barrierのトンネル効果 III
• 5p-H-10 Impure BarrierのTunnel効果 II
• 9a-B-13 GeトンネルダイオードのZ.B.A
• 電磁継電器の実装方法とプリント配線板の音響ノイズとの相関に関する基礎的検討
• ストロボホログラフィによる位相分割振動パターン計測
• 衝撃・歪み振動計測へのストロボホログラフィの応用
• 衝撃・歪み振動計測へのストロボホログラフィの応用
• 金属振動板の振動変位分布と音響放射特性の3-D図形表示による比較・検討
• ホログラフィによる金属振動板の振動変位分布とその音響放射特性との相関に関する実験的検討
• 1a-BJ-2 半導体の高電界下の核酸係数
• 30p-Z-12 量子細線サブバンド間遷移による遠赤外光吸収 : 印加磁場及び細線断面形状依存性
• 3p-C-20 量子細線サブバンド間遷移による遠赤外光吸収
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 3p-H-1 Ge(000)valleyのBand Tail III
• 5a-NL-18 Time-of-Flight法によるP-Siの電子移動度
• 1a-K-4 P-Siにおける暖かい電子
• 3p-B-7 Time-of-Flight法によるSiの拡散係数
• 30a-D-2 高電界下の非線型伝導
• 4a-LT-7 高電界下の非線型伝導 III
• 1a-BJ-1 高電界下の非線型伝導 II
• 窒化物半導体の結晶成長と界面制御
• UHF帯アンテナ近傍の電力測定の一例
• IOCG Laudise prizeを受賞して
• Dr.Laudiseの逝去を悼む
• 西岡一水先生を偲ぶ
• 光ファイバのスペックルノイズパターン抽出に関する一検討
• 窒化物半導体と結晶成長
• 広帯域電磁波スペクトル観測調査測定
• ディジタル画像計測による摺動コンタクト表面の連続損傷計測
• ディジタル画像計測による摺動コンタクト表面の連続損傷計測
• ディジタル画像計測システムによる摺動コンタクト表面の連続損傷幅計測
• 摺動コンタクトの接触抵抗経時変化と材質との相関に関する実験的検討
• GaNのヘテロエピタキシー - Empirical philosophy -
• 4a-PS-15 化合物半導体表面のレーザー脱離、脱離粒子間の衝突
• 3p-N-10 Ge(000)valley のBand Tail-II-
• 3p-TC-17 トンネルダイオードの圧力効果-II-
• 18p-A-18 III-V化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 II
• III-V族化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
• 14a-E-21 p-Si中の電子移動度
• 29p-N-12 Time-of-Flight法によるP-Si中の電子移動度
• 1a-F-11 Siにおける少数キャリアーの拡散係数
• InGaPの (111)A GaAs基板上への液相成長におけるAl添加効果 : 溶液成長III
• InGaAsP/GaAs・LPE成長の界面不安定性現象と解析 : ステップ運動
• 4a-WB-13 Si電子・正孔プラズマ中のホットエレクトロン
• 2a-D-19 二重量子井戸細線の電気伝導
• 6p-H-14 Geの(000)valleyのBand tail
• 28a-A-6 半導体超格子の2次元ポラロン
• 3p-F-2 半導体超格子・超構造の電子-格子相互作用-III
• 3p-A-3 半導体超格子・超構造の電子・格子相互作用II
• 半導体極微デバイスの非線型緩和(基研短期研究会「非平衡緩和過程の統計物理」報告,研究会報告)
• 1a-KC-1 超格子・超構造の電子格子相互作用
• 14a-E-22 半導体のバリスティック効果 II
• 窒化物半導体太陽電池の集光特性
• 2p-L1-10 半導体超格子のホットエレクトロン-II(半導体,(表面・界面・超格子))
• 28a-G-5 二重量子井戸構造における実空間遷移の計算機シミュレーション(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
• 29a-G-6 二重量子井戸構造における光吸収(29aG 半導体(超格子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク