GeのVapor growth (V)(半導体(拡散,エピタキシー)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1963-10-13
著者
関連論文
- 1p-N-7 GaN薄膜のラマン散乱
- モルフォロジー
- InP meltbackの理論的考察 : ホイスカー・基礎
- BCl_3, PCl_3原料を用いたBPの気相成長 : 気相成長
- 過飽和度による液相成長結晶表面の波もよう変化 : 基礎的考察
- 液相成長結晶表面波もようの理論的検討 : 基礎的考察
- BBr_3-PCl_3-H_2系でのBP気相成長の熱力学計算 : 基礎的考察
- Si基板方位によるBPエピタキシャル成長層の変化
- 結晶成長と電子工学 : 招待講演II
- GeのVapor growth VII : 半導体(エピタキシー)
- 気相成長によるホール素子(III) : 応用半導体
- GaAsのTransport reaction : 応用半導体
- 半導体気相成長膜の比抵抗測定 : 応用半導体
- Ge沃化物の熱分解及び水素還元反応の考察 : 応用半導体
- GeのVapor growth VI(半導体(拡散,エピタキシー)
- GeのVapor growth (V)(半導体(拡散,エピタキシー)
- GeのVapor Growth (IV) : 半導体
- GeのVapor Growth (III) : 半導体
- 7a-L-5 GeのVapor growth (II)
- 11a-A-11 GeのVapor growth
- 11a-A-3 マイクロ波領域の半導体による吸收の低電界効果
- TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
- 二元合金におけるmorphological Stabilityの計算機シュミレーション I : ホイスカー・基礎
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 気相成長法によるGaN厚膜単結晶の作製と評価 : エピタキシーI
- 30p-Z-6 二重量子井戸構造における光伝導 II
- 3a-C-3 二重量子井戸構造における光伝導
- 6p-A2-7 極薄膜超格子におけるラフネス散乱
- 5a-A2-15 二重量子井戸構造における実空間遷移
- 28a-F-17 半導体超格子のホットエレクトロン
- 28a-A-14 二重量子井戸のホトルミネセンス
- 13p-P-2 トンネル分光で調べた、Cu(Ni)をドープしたGeの電子線照射
- 6a-KM-4 Tunneling SpectrosocopyによるGaSb照射欠陥とCuの相互作用
- 23p-L-6 電子線照射されたGaSbトンネルダイオード
- 5a-G-7 電子線照射したGaSbトンネルダイオード
- LPE GaPのマクロステップにおける窒素原子不均一分布の測定 : エピタキシー
- テラス状マクロステップ表面での過飽和度分布
- 30p-Z-12 量子細線サブバンド間遷移による遠赤外光吸収 : 印加磁場及び細線断面形状依存性
- 3p-C-20 量子細線サブバンド間遷移による遠赤外光吸収
- Rate Determining Processes of Gaseous Transport in a Ga-As-Cl Closed Tube System
- 3p-F-3 BP の気相成長 VI
- 化学気相法で成長したエピタキシャル層のフォトルミネッセンスとその成長条件依存性 : エピタキシー
- GaSeの化学輸送反応
- 結晶成長に関するゴードン会議(Gordon Research Conference on Crystal Growth)に参加して : 国際会議報告
- 9p-B-12 III-V Mixed CrystalのBand Edge 変化 II
- 4p-K-2 Mixed CrystalのBand Edge変化と伝導度
- 8p-H-8 BPの気相成長 II
- BPの気相成長 : 結晶成長
- HClを用いた閉菅法によるGaAsの気相生長 III : 結晶成長
- Siの選択成長 III : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 II : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 I : 結晶成長
- 15a-L-10 Si気相成長量産法IV.
- 15a-L-9 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 III
- 液相成長波もようのmiss orientation効果
- 4a-PS-15 化合物半導体表面のレーザー脱離、脱離粒子間の衝突
- 14a-E-21 p-Si中の電子移動度
- 29p-N-12 Time-of-Flight法によるP-Si中の電子移動度
- 1a-F-11 Siにおける少数キャリアーの拡散係数
- InGaPの (111)A GaAs基板上への液相成長におけるAl添加効果 : 溶液成長III
- InGaAsP/GaAs・LPE成長の界面不安定性現象と解析 : ステップ運動
- 2a-D-19 二重量子井戸細線の電気伝導
- 温度勾配をもったKF Solution中でのBaTiO_3の結晶成長 : 誘電体
- 13p-Q-6 BaTiO_3の遠赤外吸収
- 15a-L-8 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 II
- 15a-L-7 閉管法によるGaAs-Ge異質接合
- GeのVapor Growth VII : 半導体(結晶成長)
- エピタキシャル法によるGeのhighly dope : 半導体 : 結晶成長
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction V : 半導体 : 気相成長
- Closed Tube Processでの物質のTransport reaction VII : 半導体(結晶成長)
- Closed Tube Process での物質のTransport reaction IV : 半導体 : 結晶成長
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction IV : 半導体 : 気相成長
- 5p-F-8 Closed Tule Processでの物貭のtransport reaction II
- 2p-L1-10 半導体超格子のホットエレクトロン-II(半導体,(表面・界面・超格子))
- 28a-G-5 二重量子井戸構造における実空間遷移の計算機シミュレーション(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
- 29a-G-6 二重量子井戸構造における光吸収(29aG 半導体(超格子))