エピタキシャル法によるGeのhighly dope : 半導体 : 結晶成長

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-10-10

著者

• 有住 徹弥

  名大工

• 西永 頌

  名大工

• 西永 頌

  東大 工

• 筧 昌浩

  名大工

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