筧 昌浩 | 名大工

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著作論文

• 15a-L-9 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 III
• 5p-G-8 Ge-GaSb Heterojunction (I)
• GaAsの気相成長 II : 結晶成長
• 8p-H-7 GaSbの気相成長 III
• 15a-L-8 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 II
• 15a-L-7 閉管法によるGaAs-Ge異質接合
• GeのVapor Growth VII : 半導体(結晶成長)
• エピタキシャル法によるGeのhighly dope : 半導体 : 結晶成長
• Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction V : 半導体 : 気相成長

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