有住 徹弥 | 名大 工
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概要
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著作論文
- GeのVapor growth VII : 半導体(エピタキシー)
- オシリスターの局部磁場特性(半導体(プラズマ))
- 6p-M-13 半導体中の超音波からの電磁波輻射
- 4a-H-4 n-InSbに於ける音響電気効果とマイクロ波輻射 I
- 15a-K-2 超強磁場に於るn-InSbからのマイクロ波発振
- 15a-K-1 n-InSbに於る低周波振動(Acoustoelactric Osc.)とマクロ波輻射
- n-InSbの強電場効果(III) : 半導体 : ダイオード,不安定
- 4p-K-2 Mixed CrystalのBand Edge変化と伝導度
- HClを用いた閉菅法によるGaAsの気相生長 III : 結晶成長
- Siの選択成長 III : 結晶成長
- 固液境界の決定 IV : 結晶成長
- 電子線照射ZnSのESR : 半導体 (下純物)
- Heavily doped n-SiのESR : 半導体(不純物伝導)
- 14p-K-7 SOGICONの電流飽和現象 III
- Ge中でのphononのbuild up III : 半導体 : ダイオード,不安定
- 5a-A-8 磁場中ダイオードの順逆方向に現われる発振現象
- GaAsの気相成長 II : 結晶成長
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction V : 半導体 : 気相成長
- n-Ge中の注入キャリヤの高電界による発振 : 半導体 (プラズマ)
- Schottky Barrierに於けるTransport : 半導体 (表面)
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction IV : 半導体 : 気相成長
- 5p-F-8 Closed Tule Processでの物貭のtransport reaction II