4a-H-4 n-InSbに於ける音響電気効果とマイクロ波輻射 I
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-04-02
著者
関連論文
- 電子線照射されたGeの非直線特性 : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
- 電子照射されたGeの異常特性(II) : 負性磁気抵抗効果 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-13 Ge Bulkの異常な照射効果
- GeのVapor growth VII : 半導体(エピタキシー)
- オシリスターの局部磁場特性(半導体(プラズマ))
- 13p-H-7 Impure Barrierのトンネル効果 III
- 5p-H-10 Impure BarrierのTunnel効果 II
- 9a-B-13 GeトンネルダイオードのZ.B.A
- 7a-U-13 非晶質半導体の高電界効果
- 非晶質半導体の電気伝導度の温度依存性
- Rate Determining Processes of Gaseous Transport in a Ga-As-Cl Closed Tube System
- 5p-R-11 GaP発光ダイオードの劣化容量特性
- アモルファスGeの電気伝導機構とそのアニ-ル効果
- エピタキシー
- 25a-G-6 発光素子の劣化現象
- 24a-G-12 音響ドメインのスペクトラム時間変化
- 6p-M-13 半導体中の超音波からの電磁波輻射
- 6p-M-12 強い超音波束でのスペクトラム時間変化
- 5p-H-12 n-InSbにおけるDanped Current Oscillation
- 5p-H-11 Heterojunctionの圧力効果(I)
- 5p-H-8 半導体中の超音波からの電磁波輻射
- 3p-H-1 Ge(000)valleyのBand Tail III
- 3p-F-3 BP の気相成長 VI
- 30a-U-3 GaSb トンネルダイオード過剰電流と格子欠陥
- 1a-N-2 a-Gaの交流伝導
- 1a-N-1 非晶質ゲルマニウム薄膜のESR
- 30p-N-9 n-InSbにおけるround-trip型超音波増幅(横波)
- 30p-N-5 音響電流振動におけるサブパルス応答
- 7p-B-8 n-InSbにおける電流振動の周期変化
- 5a-L-8 n-InSbにおける電流振動のモード変化
- 2a-TC-11 Acoustic Domain
- 16a-A-19 n-InSbに於けるドメインの増減現象について
- 16a-A-4 n-InSbの磁場中でのホットエレクトロン効果
- n-InSbに於けるAcoustoelectric Effect : 半導体 (acoustic instability)
- n-InSbの音響電気効果によるマイクロ波輻射II : 半導体(化合物・音波)
- n-InSbの音響電気効果に於ける二つのモード : 半導体(化合物・音波)
- n-inSbのImpact ionization : 半導体(不純物伝導)
- 4a-H-5 n-InSbの音響電気効果によるマイクロ波輻射II
- 4a-H-4 n-InSbに於ける音響電気効果とマイクロ波輻射 I
- 15a-K-2 超強磁場に於るn-InSbからのマイクロ波発振
- 15a-K-1 n-InSbに於る低周波振動(Acoustoelactric Osc.)とマクロ波輻射
- n-InSbの強電場効果(III) : 半導体 : ダイオード,不安定
- 9p-B-12 III-V Mixed CrystalのBand Edge 変化 II
- 4p-K-2 Mixed CrystalのBand Edge変化と伝導度
- 8p-H-8 BPの気相成長 II
- BPの気相成長 : 結晶成長
- HClを用いた閉菅法によるGaAsの気相生長 III : 結晶成長
- Siの選択成長 III : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 II : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 I : 結晶成長
- 15a-L-10 Si気相成長量産法IV.
- 15a-L-9 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 III
- 8a-H-3 固液境界の決定 V
- 固液境界の決定 IV : 結晶成長
- 半導体気相成長における準平衡モデルの拡張 : 結晶成長
- n型Geの放射線効果 : 格子欠陥
- 7a-F-4 CdSからの光放射
- 3p-H-7 CdSでの高電界効果
- 3p-N-10 Ge(000)valley のBand Tail-II-
- 3p-TC-17 トンネルダイオードの圧力効果-II-
- 2p-TC-2 一軸性圧力下のホットエレクトロン(Ge) II
- 18p-A-18 III-V化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 II
- 16a-A-1 一軸性圧力下のホットエレクトロン(Ge)
- III-V族化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- Geトンネルダイオードの圧力効果VI : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- 半導体表面のESR : 半導体 (表面)
- 電子線照射ZnSのESR : 半導体 (下純物)
- ZnSのESR : 半導体, イオン結晶, 光物性
- Heavily doped n-SiのESR : 半導体(不純物伝導)
- 2p-L-1 ZnSのESR
- 5p-G-8 Ge-GaSb Heterojunction (I)
- Si-InSb Heterojunction (II) : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
- 4a-TC-3 半導体表面のESR III.O_2吸着効果と吸着熱
- 18a-A-2 半導体表面のESR II(III-V Compounds)
- 6p-H-14 Geの(000)valleyのBand tail
- 3p-H-11 Ge中でのPhononのBuild-up VIII
- 14p-K-7 SOGICONの電流飽和現象 III
- Ge中でのphononのbuild up III : 半導体 : ダイオード,不安定
- 5a-A-8 磁場中ダイオードの順逆方向に現われる発振現象
- 8p-H-11 Siの選択成長 IV
- GaAsの気相成長 II : 結晶成長
- 8p-H-7 GaSbの気相成長 III
- 15a-L-8 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 II
- 15a-L-7 閉管法によるGaAs-Ge異質接合
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction V : 半導体 : 気相成長
- n-Ge中の注入キャリヤの高電界による発振 : 半導体 (プラズマ)
- Schottky Barrierに於けるTransport : 半導体 (表面)
- Metal-Si Schorttky Barrierの伝導 : 半導体(界面, 半金属)
- 2a-H-2 Metal-Si Schottky Barrierの低温特性
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction IV : 半導体 : 気相成長
- 5p-F-8 Closed Tule Processでの物貭のtransport reaction II