6p-M-12 強い超音波束でのスペクトラム時間変化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1973-04-03

著者

• 坪内 和夫

  名大・工

• 有住 徹弥

  名大工

• 有住 徹弥

  名大工学部

• 有住 徹弥

  名大・工

関連論文

• 電子線照射されたGeの非直線特性 : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
• 電子照射されたGeの異常特性(II) : 負性磁気抵抗効果 : 半導体(不純物伝導)
• 2p-H-13 Ge Bulkの異常な照射効果
• 劣化したGeトンネルダイオードの特性(II) : 電子線照射効果 : 半導体(Device(応力効果, その他)
• 気相成長によるホール素子(III) : 応用半導体
• GaAsのTransport reaction : 応用半導体
• 半導体気相成長膜の比抵抗測定 : 応用半導体
• Ge沃化物の熱分解及び水素還元反応の考察 : 応用半導体
• GeのVapor growth VI(半導体(拡散,エピタキシー)
• GeのVapor Growth (IV) : 半導体
• GeのVapor Growth (III) : 半導体
• 7a-L-5 GeのVapor growth (II)
• 11a-A-11 GeのVapor growth
• 高校および大学における物理の基礎教育と大学入試(パネル討論)
• 電界効果型ソジコン : 半導体 : 理論と不安定性
• 半導体プラズマの軸方向分布(III) : 半導体 : 理論と不安定性
• 9p-F-8 磁場中のCarrier損失
• 半導体プラズマの磁場中拡散 : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
• 電界効果型オシリスター : 応用半導体
• 磁場中半導体プラズマの軸方向分布 : 応用半導体
• 半導体プラズマのマイクロ波Doppler効果 : 応用半導体
• 13p-H-7 Impure Barrierのトンネル効果 III
• 5p-H-10 Impure BarrierのTunnel効果 II
• 9a-B-13 GeトンネルダイオードのZ.B.A
• 7a-U-13 非晶質半導体の高電界効果
• 非晶質半導体の電気伝導度の温度依存性
• Rate Determining Processes of Gaseous Transport in a Ga-As-Cl Closed Tube System
• 5p-R-11 GaP発光ダイオードの劣化容量特性
• アモルファスGeの電気伝導機構とそのアニ-ル効果
• エピタキシー
• 25a-G-6 発光素子の劣化現象
• 24a-G-12 音響ドメインのスペクトラム時間変化
• 6p-M-13 半導体中の超音波からの電磁波輻射
• 6p-M-12 強い超音波束でのスペクトラム時間変化
• 5p-H-12 n-InSbにおけるDanped Current Oscillation
• 5p-H-11 Heterojunctionの圧力効果(I)
• 5p-H-8 半導体中の超音波からの電磁波輻射
• 3p-H-1 Ge(000)valleyのBand Tail III
• 3p-F-3 BP の気相成長 VI
• 30a-U-3 GaSb トンネルダイオード過剰電流と格子欠陥
• 1a-N-2 a-Gaの交流伝導
• 1a-N-1 非晶質ゲルマニウム薄膜のESR
• 30p-N-9 n-InSbにおけるround-trip型超音波増幅(横波)
• 30p-N-5 音響電流振動におけるサブパルス応答
• 7p-B-8 n-InSbにおける電流振動の周期変化
• 5a-L-8 n-InSbにおける電流振動のモード変化
• 2a-TC-11 Acoustic Domain
• 16a-A-19 n-InSbに於けるドメインの増減現象について
• 16a-A-4 n-InSbの磁場中でのホットエレクトロン効果
• n-InSbに於けるAcoustoelectric Effect : 半導体 (acoustic instability)
• n-InSbの音響電気効果によるマイクロ波輻射II : 半導体(化合物・音波)
• n-InSbの音響電気効果に於ける二つのモード : 半導体(化合物・音波)
• n-inSbのImpact ionization : 半導体(不純物伝導)
• 4a-H-5 n-InSbの音響電気効果によるマイクロ波輻射II
• 4a-H-4 n-InSbに於ける音響電気効果とマイクロ波輻射 I
• 7a-G-13 n-InSbの強電場効果IV
• 9p-B-12 III-V Mixed CrystalのBand Edge 変化 II
• 4p-K-2 Mixed CrystalのBand Edge変化と伝導度
• 8p-H-8 BPの気相成長 II
• BPの気相成長 : 結晶成長
• HClを用いた閉菅法によるGaAsの気相生長 III : 結晶成長
• Siの選択成長 III : 結晶成長
• HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 II : 結晶成長
• HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 I : 結晶成長
• 8a-H-3 固液境界の決定 V
• 半導体気相成長における準平衡モデルの拡張 : 結晶成長
• Si気相成長量産法 : 半導体(結晶成長)
• n型Geの放射線効果 : 格子欠陥
• 3p-H-7 CdSでの高電界効果
• 2p-TC-2 一軸性圧力下のホットエレクトロン(Ge) II
• 16a-A-1 一軸性圧力下のホットエレクトロン(Ge)
• Geトンネルダイオードの圧力効果VI : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
• SiI_4によるSiのEpitaxial Growthについての熱力学的考察 : 結晶成長
• 2p-L-1 ZnSのESR
• 13a-K-15 電子線照射ZnSのESR
• 4p-G-9 Siの伝導電子ESR(III)
• SiのSurface Resonance (III) : 半導体(レゾナンス)
• Si粉末のsurface resonance・(II) : 半導体 : 結晶成長
• 伝導電子ESRのg-shiftとΔHについて : 半導体 : マイクロ波
• 5p-G-8 Ge-GaSb Heterojunction (I)
• Si-InSb Heterojunction (II) : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
• 大注入plasmaにおけるlife time : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• 4a-TC-3 半導体表面のESR III.O_2吸着効果と吸着熱
• 18a-A-2 半導体表面のESR II(III-V Compounds)
• 14a-K-2 トンネルダイオードの逆方向特性(II)
• トンネンルダイオードゲージ : 自動制御,制御機器,計測
• トンネル接合の圧力効果 : 半導体(Device(応力効果, その他)
• 3p-H-11 Ge中でのPhononのBuild-up VIII
• 7a-G-5 SOGICONの電流飽和現象II
• 7a-G-4 Geでのphononのbuild-up IV
• Sogiconの電流飽和現象 : 半導体 : ダイオード,不安定
• 半導体の強電場効果 : ドリフト速度の異常性 : 半導体 : 不安定性
• 温度勾配をもったKF Solution中でのBaTiO_3の結晶成長 : 誘電体
• 9p-F-7 プラズマ密度に対するlife timeの変化
• 8p-H-11 Siの選択成長 IV
• 13p-Q-6 BaTiO_3の遠赤外吸収
• 8p-H-7 GaSbの気相成長 III
• エピタキシャル法によるGeのhighly dope : 半導体 : 結晶成長
• 2a-H-2 Metal-Si Schottky Barrierの低温特性
• Closed Tube Process での物質のTransport reaction IV : 半導体 : 結晶成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク