15a-L-9 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1967-10-14
著者
関連論文
- モルフォロジー
- 電子線照射されたGeの非直線特性 : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
- 電子照射されたGeの異常特性(II) : 負性磁気抵抗効果 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-13 Ge Bulkの異常な照射効果
- BCl_3, PCl_3原料を用いたBPの気相成長 : 気相成長
- BBr_3-PCl_3-H_2系でのBP気相成長の熱力学計算 : 基礎的考察
- Si基板方位によるBPエピタキシャル成長層の変化
- GeのVapor growth VII : 半導体(エピタキシー)
- GaAsのTransport reaction : 応用半導体
- Ge沃化物の熱分解及び水素還元反応の考察 : 応用半導体
- GeのVapor growth VI(半導体(拡散,エピタキシー)
- GeのVapor growth (V)(半導体(拡散,エピタキシー)
- GeのVapor Growth (IV) : 半導体
- GeのVapor Growth (III) : 半導体
- 7a-L-5 GeのVapor growth (II)
- 二元合金におけるmorphological Stabilityの計算機シュミレーション I : ホイスカー・基礎
- 9p-F-5 局部磁場オシリスターの発振モード
- 13p-H-7 Impure Barrierのトンネル効果 III
- 5p-H-10 Impure BarrierのTunnel効果 II
- 9a-B-13 GeトンネルダイオードのZ.B.A
- LPE GaPのマクロステップにおける窒素原子不均一分布の測定 : エピタキシー
- テラス状マクロステップ表面での過飽和度分布
- 7a-U-13 非晶質半導体の高電界効果
- 非晶質半導体の電気伝導度の温度依存性
- Rate Determining Processes of Gaseous Transport in a Ga-As-Cl Closed Tube System
- 5p-R-11 GaP発光ダイオードの劣化容量特性
- アモルファスGeの電気伝導機構とそのアニ-ル効果
- エピタキシー
- 25a-G-6 発光素子の劣化現象
- 24a-G-12 音響ドメインのスペクトラム時間変化
- 6p-M-13 半導体中の超音波からの電磁波輻射
- 6p-M-12 強い超音波束でのスペクトラム時間変化
- 5p-H-12 n-InSbにおけるDanped Current Oscillation
- 5p-H-11 Heterojunctionの圧力効果(I)
- 5p-H-8 半導体中の超音波からの電磁波輻射
- 3p-H-1 Ge(000)valleyのBand Tail III
- 3p-F-3 BP の気相成長 VI
- 30a-U-3 GaSb トンネルダイオード過剰電流と格子欠陥
- 1a-N-2 a-Gaの交流伝導
- 1a-N-1 非晶質ゲルマニウム薄膜のESR
- 30p-N-9 n-InSbにおけるround-trip型超音波増幅(横波)
- 30p-N-5 音響電流振動におけるサブパルス応答
- 7p-B-8 n-InSbにおける電流振動の周期変化
- 5a-L-8 n-InSbにおける電流振動のモード変化
- 2a-TC-11 Acoustic Domain
- 16a-A-19 n-InSbに於けるドメインの増減現象について
- 16a-A-4 n-InSbの磁場中でのホットエレクトロン効果
- n-InSbに於けるAcoustoelectric Effect : 半導体 (acoustic instability)
- n-InSbの音響電気効果によるマイクロ波輻射II : 半導体(化合物・音波)
- n-InSbの音響電気効果に於ける二つのモード : 半導体(化合物・音波)
- n-inSbのImpact ionization : 半導体(不純物伝導)
- 4a-H-5 n-InSbの音響電気効果によるマイクロ波輻射II
- 4a-H-4 n-InSbに於ける音響電気効果とマイクロ波輻射 I
- 化学気相法で成長したエピタキシャル層のフォトルミネッセンスとその成長条件依存性 : エピタキシー
- GaSeの化学輸送反応
- 結晶成長に関するゴードン会議(Gordon Research Conference on Crystal Growth)に参加して : 国際会議報告
- 9p-B-12 III-V Mixed CrystalのBand Edge 変化 II
- 4p-K-2 Mixed CrystalのBand Edge変化と伝導度
- 8p-H-8 BPの気相成長 II
- BPの気相成長 : 結晶成長
- HClを用いた閉菅法によるGaAsの気相生長 III : 結晶成長
- Siの選択成長 III : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 II : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 I : 結晶成長
- 15a-L-10 Si気相成長量産法IV.
- 15a-L-9 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 III
- 8a-H-3 固液境界の決定 V
- 固液境界の決定 IV : 結晶成長
- 14p-L-3 固液境界の決定
- 半導体気相成長における準平衡モデルの拡張 : 結晶成長
- n型Geの放射線効果 : 格子欠陥
- 7a-F-4 CdSからの光放射
- 3p-H-7 CdSでの高電界効果
- 3p-N-10 Ge(000)valley のBand Tail-II-
- 3p-TC-17 トンネルダイオードの圧力効果-II-
- 2p-TC-2 一軸性圧力下のホットエレクトロン(Ge) II
- 18p-A-18 III-V化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 II
- 16a-A-1 一軸性圧力下のホットエレクトロン(Ge)
- III-V族化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- Geトンネルダイオードの圧力効果VI : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- 半導体表面のESR : 半導体 (表面)
- 電子線照射ZnSのESR : 半導体 (下純物)
- ZnSのESR : 半導体, イオン結晶, 光物性
- Heavily doped n-SiのESR : 半導体(不純物伝導)
- 2p-L-1 ZnSのESR
- 9p-F-1 トンネルダイオードの接合容量の異常特性
- 5p-G-8 Ge-GaSb Heterojunction (I)
- Si-InSb Heterojunction (II) : 半導体 (ヘテロ接合, 放射線損傷)
- 4a-TC-3 半導体表面のESR III.O_2吸着効果と吸着熱
- 温度勾配をもったKF Solution中でのBaTiO_3の結晶成長 : 誘電体
- 13p-Q-6 BaTiO_3の遠赤外吸収
- 15a-L-8 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 II
- 15a-L-7 閉管法によるGaAs-Ge異質接合
- GeのVapor Growth VII : 半導体(結晶成長)
- エピタキシャル法によるGeのhighly dope : 半導体 : 結晶成長
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction V : 半導体 : 気相成長
- Closed Tube Processでの物質のTransport reaction VII : 半導体(結晶成長)
- Closed Tube Process での物質のTransport reaction IV : 半導体 : 結晶成長
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction IV : 半導体 : 気相成長
- 5p-F-8 Closed Tule Processでの物貭のtransport reaction II