西永 頌 | 東大 工
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概要
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西永 頌
東大 工
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著作論文
- モルフォロジー
- BCl_3, PCl_3原料を用いたBPの気相成長 : 気相成長
- BBr_3-PCl_3-H_2系でのBP気相成長の熱力学計算 : 基礎的考察
- Si基板方位によるBPエピタキシャル成長層の変化
- GeのVapor growth VII : 半導体(エピタキシー)
- GaAsのTransport reaction : 応用半導体
- Ge沃化物の熱分解及び水素還元反応の考察 : 応用半導体
- GeのVapor growth VI(半導体(拡散,エピタキシー)
- GeのVapor growth (V)(半導体(拡散,エピタキシー)
- GeのVapor Growth (IV) : 半導体
- GeのVapor Growth (III) : 半導体
- 7a-L-5 GeのVapor growth (II)
- 二元合金におけるmorphological Stabilityの計算機シュミレーション I : ホイスカー・基礎
- LPE GaPのマクロステップにおける窒素原子不均一分布の測定 : エピタキシー
- テラス状マクロステップ表面での過飽和度分布
- Rate Determining Processes of Gaseous Transport in a Ga-As-Cl Closed Tube System
- 3p-F-3 BP の気相成長 VI
- 化学気相法で成長したエピタキシャル層のフォトルミネッセンスとその成長条件依存性 : エピタキシー
- GaSeの化学輸送反応
- 結晶成長に関するゴードン会議(Gordon Research Conference on Crystal Growth)に参加して : 国際会議報告
- 9p-B-12 III-V Mixed CrystalのBand Edge 変化 II
- 4p-K-2 Mixed CrystalのBand Edge変化と伝導度
- 8p-H-8 BPの気相成長 II
- BPの気相成長 : 結晶成長
- HClを用いた閉菅法によるGaAsの気相生長 III : 結晶成長
- Siの選択成長 III : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 II : 結晶成長
- HClを用いた閉管法によるGaAsの気相成長 I : 結晶成長
- 15a-L-10 Si気相成長量産法IV.
- 15a-L-9 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 III
- 温度勾配をもったKF Solution中でのBaTiO_3の結晶成長 : 誘電体
- 13p-Q-6 BaTiO_3の遠赤外吸収
- 15a-L-8 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 II
- 15a-L-7 閉管法によるGaAs-Ge異質接合
- GeのVapor Growth VII : 半導体(結晶成長)
- エピタキシャル法によるGeのhighly dope : 半導体 : 結晶成長
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction V : 半導体 : 気相成長
- Closed Tube Processでの物質のTransport reaction VII : 半導体(結晶成長)
- Closed Tube Process での物質のTransport reaction IV : 半導体 : 結晶成長
- Closed Tube Processでの物質のTraneport Reaction IV : 半導体 : 気相成長
- 5p-F-8 Closed Tule Processでの物貭のtransport reaction II