西永 頌 | 名大・工
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概要
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名大 工
著作論文
- モルフォロジー
- BCl_3, PCl_3原料を用いたBPの気相成長 : 気相成長
- 液相成長のmacrostep morphology : マイクロモルフォロジー
- InP液相エッチングとモルフォロジー : ホイスカーとモルフォロジー
- Si基板方位によるBPエピタキシャル成長層の変化
- 1a-BJ-2 半導体の高電界下の核酸係数
- 5a-NL-18 Time-of-Flight法によるP-Siの電子移動度
- 1a-K-4 P-Siにおける暖かい電子
- 3p-B-7 Time-of-Flight法によるSiの拡散係数
- GaP-PCl_3系によるGe上へのGaP気相エピタキシャル成長 : III-V族化合物半導体など
- 30a-D-2 高電界下の非線型伝導
- 4a-LT-7 高電界下の非線型伝導 III
- 1a-BJ-1 高電界下の非線型伝導 II
- 4p-M-4 高電界下の非線型伝導
- 6p-B-2 Siの高電界効果
- 15a-L-10 Si気相成長量産法IV.