沢木 宣彦 | 名大工

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概要

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関連著者

• 沢木 宣彦

  名大工

• 沢木 宣彦

  名大・工

• 赤崎 勇

  名大工

• 澤木 宣彦

  名古屋大

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部

• 加納 浩之

  豊田中研

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 橋本 雅文

  豊田中研

• 後藤 英雄

  名古屋大学工学部電子工学科

• 諸橋 誠

  名大・工

• 平松 和政

  名大工

• 沢木 宣彦

  名古屋大学工学部電子工学科

• 奥野 英一

  名大工

• 後藤 英雄

  名大工

• 奥野 英一

  名大・工

• 諸橋 誠

  名大工

• 赤崎 勇

  名城大学

• 西永 頌

  豊橋技科大

• 綿谷 光男

  名大・工

• 天野 浩

  名大工

• 西永 頌

  名大・工

• 田中 成泰

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 山口 雅史

  名大工

• 小出 典克

  名古屋大学工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 平松 和政

  三重大 工

• 田中 雄一

  豊田中研

• 小出 典克

  名大工

• 綿谷 光男

  名大工

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 小出 典克

  名古屋大学工学部電子工学科

• 岩山 章

  名大工

• 榊原 浩司

  名大工

• 田中 成泰

  名大工

• 西 永頌

  名大工

• 平松 和政

  三重大

• 稲垣 善久

  名大工

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著作論文

• AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
• 6p-A2-7 極薄膜超格子におけるラフネス散乱
• 5a-A2-15 二重量子井戸構造における実空間遷移
• GaP-PCl_3系によるGe上へのGaP気相エピタキシャル成長 : III-V族化合物半導体など
• 29p-N-12 Time-of-Flight法によるP-Si中の電子移動度
• 1a-F-11 Siにおける少数キャリアーの拡散係数
• InGaAsP/GaAs・LPE成長の界面不安定性現象と解析 : ステップ運動
• 3p-A-3 半導体超格子・超構造の電子・格子相互作用II
• 1a-KC-1 超格子・超構造の電子格子相互作用
• 29p-N-13 半導体のバリスティック効果
• 1a-Pα-2 半導体のバリスティック効果
• 11a-P-2 高電界下の非線型伝導
• 26aD-10 δドープGaAs細線の負性磁気抵抗

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