沢木 宣彦 | 名古屋大学工学部電子工学科

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• 沢木 宣彦

  名古屋大学工学部電子工学科

• 澤木 宣彦

  名古屋大

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  名古屋大学大学院工学研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 川口 靖利

  名大・工

• 川口 靖利

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 沢木 宣彦

  名大・工

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 元垣内 敦司

  三重大学工学部電気電子工学科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部

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  名大・工学部

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 平松 和政

  名古屋大学工学部電子工学科

• 赤崎 勇

  名城大学

• 加納 浩之

  豊田中研

• 赤崎 勇

  名大・工

• 橋本 雅文

  豊田中研

• 後藤 英雄

  名古屋大学工学部電子工学科

• 綿谷 光男

  名大・工

• 灰野 正紘

  三重大学工学部電気電子工学科

• 山口 元男

  三重大学工学部電気電子工学科

• 家近 泰

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 前田 尚良

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 大西 勝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 曽根 弘樹

  名古屋大学工学部電子工学料

• 家近 泰

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 松嶋 秀忠

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 花井 寿佳

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 清水 誠也

  名古屋大学工学部電子工学科

• 清水 ヨ也

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 奥野 英一

  名大・工

• 前田 尚良

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名大工

• 灰野 正絋

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学 工学部

• 沢木 宣彦

  名大工

• 久田 義明

  名大・工

• 後藤 英雄

  名大・工

• 奥野 英一

  名大工

• 後藤 英雄

  名大工

• 平松 和政

  三重大

• 平松 和政

  三重大学 大学院工学研究科

• 沖 憲典

  九州大学大学院総合理工学研究科院

• 赤崎 勇

  名古屋大学工学部

• 吉田 明

  名大工

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 小出 康夫

  名古屋大学工学部電子工学科

• 小出 康夫

  独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所

• 矢橋 勝典

  名古屋大学工学部電子工学科

• 伊藤 茂稔

  名古屋大学工学部電子工学科

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 伊藤 茂稔

  名大・工

• 天野 浩

  名大・工

• 平松 和政

  名大・工

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• 滝 海

  九州大学大学院総合理工学研究科量子プロセス理工学専攻

• 柴田 巧

  名古屋大学工学部電子工学科

• 綿谷 光男

  名大工

• 有住 徹弥

  名大工学部

• 有住 徹弥

  名古屋大学工学部

• 小出 康夫

  京都大学材料工学

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  九州大学 大学院総合理工学研究院

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  Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer

• 沖 憲典

  九州大学総理工

• 石田 明

  名大・工

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  名古屋大学工学部

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

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著作論文

• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
• TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
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• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
• 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
• M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
• 30p-Z-6 二重量子井戸構造における光伝導 II
• 3a-C-3 二重量子井戸構造における光伝導
• 6p-A2-7 極薄膜超格子におけるラフネス散乱
• 5a-A2-15 二重量子井戸構造における実空間遷移
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 2a-D-19 二重量子井戸細線の電気伝導
• 6p-H-14 Geの(000)valleyのBand tail

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