高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
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概要
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MOVPE法により成長させたGaN薄膜において、(1)H_2とNH_3, (2)N_2とNH_3, (3)N_2のみのそれぞれ異なった混合気体雰囲気中で、800℃から1100℃の高温で熱処理を行うことによりGaNの熱分解過程を明らかにした。これにより、N_2を供給しない(1)の混合気体雰囲気中の場合GaN薄膜の熱分解過程は900℃以上で顕著に見られ、また気相全体中の窒素分圧を増加させることによってGaNの熱分解を抑えることができることを示し、GaNに熱分解過程における強い温度依存性と窒素分圧依存性を明らかにした。また、この熱分解過程を利用することによってGaNの新しいエッチング技術に応用できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
平松 和政
名古屋大学工学部電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
松嶋 秀忠
名古屋大学 工学部 電子工学科
-
花井 寿佳
名古屋大学 工学部 電子工学科
-
沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大
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