透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の受光感度の改善とリーク電流の低減を図るために、透明電極上へのLaF_3反射防止膜のコーティングとショットキー電極のアニール処理を行い、シンクロトロン放射光を用いた受光特性と電気的特性について評価した。LaF_3反射防止膜のコーティングにより、透明電極と反射防止膜の界面での反射率が抑制され、177-357nmで受光感度が約2倍増加することが明らかになった。また、Au電極のアニール処理によりリーク電流が1〜2桁減少し、素子のショットキー性が向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
-
福井 一俊
福井大fir
-
太田 慶一
三重大学工学部
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
塩谷 英一
(株)ニコン精機カンパニー
-
元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
新坂 俊輔
(株)ニコン精機カンパニー
-
只友 一行
三菱電線工業
-
渡辺 博信
三重大学工学部
-
大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
-
濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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