ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価

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概要

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• 可視域から真空紫外域(2〜25eV)におけるGaN系ショットキー型受光素子の受光感度特性について、シンクロトロン放射光を用いて調べた。厚さ10nmのAu電極の透過率は約40〜50%で、真空紫外光を透過させるのに充分な厚さである。受光感度を測定したところ3.5eV以上の紫外及び真空紫外光のみが受光した。最大感度は3.5のとき0.15A/Wだった。真空紫外領域(6〜25eV)での受光感度は約0.01A/Wであった。測定回路を工夫することで、 Au及びGaNの光電子放出の影響を受けないで受光感度を測定することが可能になった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-10-04

著者

• 福井 一俊

  福井大学遠赤外領域開発センター

• 福井 一俊

  福井大fir

• 太田 慶一

  三重大学工学部

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 元垣内 敦司

  三重大学工学部電気電子工学科

• 只友 一行

  三菱電線工業

• 大内 洋一郎

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 濱村 寛

  株式会社ニコン精機カンパニー

• 濱村 寛

  (株)ニコン精機カンパニー

• 元垣内 敦司

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• 只友 一行

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

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