ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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塩素プラズマを用いた反応性イオンエッチング(RIE)によりGaN表面に針状(Nanotip)構造が自然形成される。このGaN Nanotipsは、100nm以下の周期で表面に一様に分布していることから、紫外域から可視域までの広い波長範囲で、反射率が低減、透過率が向上する特性を有している。本研究では、GaN Nanotipsの高さ・密度制御を行い、光の反射防止・透過向上効果の更なる改善を目指した。エッチング条件を変化させることによりNanotipsの高さと密度をそれぞれ0.1〜2.0μm、10^9〜10^<11>cm^<-2>のように制御が可能になった。密度6.2×10^<10>cm^<-2>のNanotip構造の紫外域における透過率は、密度2.2×10^<10>cm^<-2>のものと比較して10%以上の改善が見られた。これらのGaN Nanotip構造の優れた光学特性から、Nanotip構造によるGaN系発光・受光デバイスの効率向上が期待できる。
2003-09-25

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