MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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Si基板上に低転位密度でクラックのないGaN層を作製するために,新しい基板段差パターンを用いて有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE法)によるGaNの選択横方向成長(ELO)を行った。段差パターンは従来のELO用ストライプパターンにGaNの成長領域を制限するための比較的粗いグリッドパターンを組み合わせたものである。成長領域を100μm角に制限することで,クラックのない比較的平坦なGaN層が得られた。また,ELO領域を制限することにより,SiO_2マスクを施したSi基板上においてもクラックのない成長層を得た。段差Si基板上およびSiO_2マスク付Si基板上の両方においてGaN成長層における貫通転位が低減された。GaN成長層のc軸のtiltの揺らぎは両基板上でほぼ同程度であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
生川 満久
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
直井 弘之
三重大学SVBL
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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