エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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AlNはワイドバンドギャップや高温での安定性などから、深紫外領域の発光デバイスをはじめ、次世代の種々半導体デバイスへの応用が期待されている。しかしながら、サファイアなど異種下地基板上のAlN成長では、格子定数差や熱膨張係数差による応力発生の問題がある。本研究では、サファイア基板、6H-SiC基板上に高品質なAlN薄膜を作製し、高分解能X線回折、ラマン散乱分光測定から格子歪みや応力の解析を行った。その結果、(10-12)回折のXRC FWHMが小さくなるにつれE2(high)ラマンピークシフトが大きくなり、圧縮応力が増大することから、転位が応力を緩和していることがわかった。さらに、得られた結果から2軸性応力係数kが求められ、その値は-4.04±0.3 cm^<-1>/GPaであった。
- 2011-05-12
著者
-
三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部
-
平松 和政
三重大 工
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学 工芸学部
-
宮川 鈴衣奈
三重大学大学院工学研究科
-
楊 士波
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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