減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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Al_xGa_<1-x>NはAlNモル分率xを変化させることで,210から365nmまでの広い紫外発光波長域をカバーできることから,深紫外LED等への応用研究が盛んに行われているが,280nm以下の波長においてp型AlGaNの高抵抗及び結晶性の低下が原因により,LEDの発光効率は非常に低い.我々は高効率な深紫外光源として,p型AlGaNが不要な電子線励起による深紫外光源を提案してきた.本研究では,減圧MOVPE法を用いたAlN/sapphireテンプレート上Si-doped AlGaN多重量子井戸を作製した.また,電子線励起による深紫外光源としての光学特性評価も行った.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-22
著者
-
三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
小林 祐二
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
吉田 治正
浜松ホトニクス
-
福世 文嗣
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻:浜松ホトニクス株式会社
-
落合 俊介
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
高木 麻有奈
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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