エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である.本研究ではエッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った.KOHとNaOHの混合溶液によりウェットエッチングを行った結果、エッチピットの大きさにより大・中・小の3種類に分類できることが分かった.サファイア基板上に成長を行ったAlNに比べ、昇華法により作製されたAlN基板の貫通転位密度は非常に少なく、HVPE法による厚膜成長後も貫通転位密度の大幅な増加は見られなかった.三角ストライプ加工を行ったAlN/サファイア基板上へHVPE法により厚膜成長を行い、ファセット制御により貫通転位の伝搬を抑制することができた.
- 2011-11-10
著者
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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桑野 範之
九州大学大学院総理工学研究科
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平松 和政
三重大 工
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桑野 範之
九州大学産学連携センター
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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野村 拓也
三重大学大学院工学研究科
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Kuwano Noriyuki
Department Of Materials Science And Technology Kyushu University
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桑原 崇彰
九州大学大学院総合理工学府
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龍 祐樹
九州大学大学院総合理工学府
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桑野 範之
九州大学大学院総合理工学府
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平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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