減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般)

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概要

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• 本研究では、単層カーボンナノチューブの低温成長法として知られている、エタノールを原料とする減圧CVD(LP-CVD)法のグラフェン合成への適用を試みている。FeもしくはNiの薄膜を触媒層として形成したシリコン基板にLP-CVDを行ったところ、従来報告されているよりも低い温度でグラフェンの合成ができることを確認した。FeとN1を用いた場合でグラフェンの成長条件を比較したところ、両者には大きな違いが観られた。Fe触媒においては、比較的低い原料ガス圧(0.5Pa)でグラフェンが合成されるが、N1の場合は成長促進のため10Pa以上の圧力が必要であった。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-01-17

著者

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 佐藤 英樹

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 前坂 考哉

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

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