AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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面内均一性に優れたデバイスを作製するためには,成長時における基板の反りの低減が必要である。本研究では,MOVPE法により異なる基板上にAlGaN成長を行い,成長時における基板の反りのその場観察を行った。AlGaN成長中の基板の曲率は,GaNテンプレート基板とサファイア基板では増加し,基板の反りが大きくなったのに対して、AlNテンプレート基板では曲率が減少し,基板の反りが小さくなった。AlGaNよりも格子定数が大きいAlNテンプレート基板を用いることで、発光層の成長時に基板の反りがないデバイス形成が実現できる可能性がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
小川原 悠哉
三重大学工学部電気電子工学科
-
生川 満久
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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