バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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選択横方向成長(ELO)は貫通転位(TD)密度が低い高品質のGaNエピタキシャル膜を作製する技術として非常に有用である。我々は, 選択成長で形成されるファセット形態を制御することで, 転位の伝搬を制御する技術であるFACELO法を提案してきた。本研究では, 低温GaNバッファ層上にFACELOを行い, 厚さ35μmのGaNを成長させた。GaNとサファイアとの格子定数差と熱膨張係数によりGaNの剥離が生じて, 縦10mm, 横20mmのGaN自立結晶を得た。試料の反りによる影響をX線回折測定においてスリット幅を変えることによって調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
小野 善伸
住友化学
-
小野 善伸
住友化学工業(株)筑波研究所
-
平松 和政
三重大 工
-
西川 直宏
住友化学株式会社筑波研究所
-
長谷 吉起
三重大学工学部電気電子工学科
-
楠 真一郎
三重大学工学部電気電子工学科
-
土田 良彦
住友化学株式会社筑波研究所
-
小野 善伸
住友化学株式会社筑波研究所
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
-
土田 良彦
住友化学株式会社
-
小野 善伸
住友化学株式会社 筑波研究所
-
西川 直宏
住友化学株式会社 筑波研究所
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