周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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概要

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• HVPE法によるSapphire基板上へのAlN成長では、AlNとSapphireとの熱膨張係数差によるクラックが問題になっている.本研究では,周期溝構造をもった基板を下地として,減圧HVPE法によりAlN成長を行った.周期溝加工基板を用いることにより、クラックフリーAlN膜の成長に成功した.周期溝構造をもったAlN/Sapphire基板上への成長ではX線回折のFWHMは,(0002)で132 arcsecで,(10-10)で594 arcsecであった.また、周期溝加工をもたない下地基板上に成長したAlN膜と比較すると,XRCのFWHMが約1/3減少したことがわかった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-11-20

著者

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 桑野 範之

  九州大学

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 江崎 哲也

  九州大学総合理工学府

• Kuwano Noriyuki

  Department Of Materials Science And Technology Kyushu University

• 片桐 佑介

  三重大学工学部電気電子工学科

• 奥浦 一輝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 呉 潔君

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

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