高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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概要

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• AlGaNのp型伝導性制御にはMgドーピングが必要であるが、AlGaNの高Alモル分率化に伴うMgの活性化エネルギーの増大により低抵抗p型AlGaNの作製は困難であり、Mg涼加効果については明らかになっていない。本研究では、減圧MOVPE法によりAlNエピタキシャル膜を下地基板として用いてMg-doped AlGaNを成長し、その結晶性や光学特性などの評価を行った。Mgドーピング量の増加に伴いXRC-FWHMは増加した。またCLスペクトルからはMgドーピングによる深い準位に関する発光が確認された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-10-14

著者

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

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