MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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サファイアC面基板上に成膜した高品質なエピタキシャルAlNをテンプレートとして用い、MOVPE法によりAlGaN/GaNヘテロ構造を作製した。従来から用いられている低温バッファ層上に成膜したものに比べ高い移動度(8241cm^2/Vs@15K,シートキャリア濃度12×10^13cm^-2)を示し、良好な結晶性((0004),(2024)X線ロッキンカーブ半値幅77,239arcsec)を示した。加えてFET特性においてもゲート長2μmにおいて最大相互コンダクタンス214mS/mmと良好な特性を示した。エピタキシャルAlN上に成膜したGaN結晶の品質が高いことがこの良好な特性の原因と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
小田 修
日本ガイシ株式会社
-
坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
ARULKUMARAN Subramaniam
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
-
浅野 健太
名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター
-
Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
浅野 健太
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
小田 修
日本ガイシ(株)
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