高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
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概要
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- 2003-09-26
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
見田 充郎
沖電気工業
-
見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
-
佐野 芳明
沖電気工業
-
大来 英之
沖電気工業
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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