海部 勝晶 | 沖電気工業株式会社
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概要
関連著者
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
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見田 充郎
沖電気工業
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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佐野 芳明
沖電気工業
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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大来 英之
沖電気工業
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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槙田 毅彦
沖電気工業
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業
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戸田 典彦
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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鷺森 友彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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伊藤 正紀
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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加藤 雅一
沖電気工業株式会社開発本部加工技術研究部
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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丸井 俊治
沖電気工業
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宮本 裕生
沖電気工業(株)研究開発本部
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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斎藤 稔
沖電気工業株式会社基盤技術研究所材料研究部バイオエレクトロニクス研究室
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加藤 雅一
沖電気工業株式会社
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斎藤 稔
沖電気工業株式会社
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星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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加藤 雅一
沖電気工業 (株) 基盤技術研究所
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川村 和民
沖電気工業
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小谷野 武
沖電気工業(株)
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小谷 野武
沖電気工業株式会社基盤技術研究所材料研究部バイオエレクトロニクス研究室
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小谷 野武
沖電気工業株式会社
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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中川 二三男
沖電気工業株式会社研究開発本部
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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曽根 貞雄
沖電気工業
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岩渕 俊之
沖電気工業(株)
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木村 晴雄
沖電気工業(株)
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木村 晴雄
沖電気工業
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加藤 雅一
沖電気工業株式会社基盤技術研究所材料研究部バイオエレクトロニクス研究室
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宮本 裕生
沖電気工業株式会社
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社基盤技術研究所材料研究部バイオエレクトロニクス研究室
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小谷野 武
沖電気工業株式会社基盤技術研究所材料研究部バイオエレクトロニクス研究室
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川村 和民
沖電気工業株式会社
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川村 和民
沖電気工業株式会社基盤技術研究所材料研究部バイオエレクトロニクス研究室
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岩渕 俊之
沖電気工業 (株) 基盤技術研究所
著作論文
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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- 赤発色ジアゾニウム塩の開発と光定着型記録媒体への応用
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高い相互コンダクタンスを有するリセスゲート窒化物半導体FET
- 味覚物質に対する混合脂質膜の静的応答
- 酸によって生ずるDOPHミリポア膜の自励発振
- リン脂質を混合したDOPHミリポア膜の電気特性