見田 充郎 | 沖電気工業
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概要
関連著者
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見田 充郎
沖電気工業
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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佐野 芳明
沖電気工業
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見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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大来 英之
沖電気工業
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小岩 一郎
関東学院大学 大学院工学研究科
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小岩 一郎
沖電気工業株式会社基盤技術研究所
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金原 隆雄
沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所
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見田 充郎
沖電気工業(株)マイクロシステム技術研究所
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山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
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小岩 一郎
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業
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戸田 典彦
沖電気工業
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伊藤 正紀
沖電気工業
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星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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星 真一
沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
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槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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槙田 毅彦
沖電気工業
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逢坂 哲彌
早稲田大学理工学部
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逢坂 哲彌
早稲田大学
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小野 幸子
早稲田大学理工学総合研究センター
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小野 幸子
工学院大学工学部
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小林 政信
千葉工業大学工学部金属工学科
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鷺森 友彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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山根 治起
沖電気工業株式会社研究開発本部
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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関戸 睦弘
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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関戸 睦弘
沖電気工業株式会社研究開発本部
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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林 直司
沖電気
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安孫子 一松
沖電気
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林 直司
沖電気工業(株)研究開発本部基盤技術研究所
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安孫子 一松
沖電気工業(株)研究開発本部基盤技術研究所
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前田 将克
早稲田大学理工学部応用化学科
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前田 将克
早稲田大学理工学部
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橋本 晃
関東学院大学工学総合研究所
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菅野 裕雅
沖電気
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小泉 真澄
沖電気
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菅野 裕雅
沖電気工業(株)基盤技術研究所
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小泉 真澄
沖電気工業(株)基盤技術研究所
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澤田 佳宏
東京応化工業株式会社
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橋本 晃
東京応化工業株式会社
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佐藤 豊作
沖電気工業(株)マイクロシステム技術研究所
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澤田 佳宏
東京応化工業株式会社 開発本部 特定研究一部
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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佐藤 豊作
沖電気工業
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小林 政信
沖電気工業研究開発本部
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小林 政信
沖電気工業(株)研究開発本部基盤技術研究所材料研究部室
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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小林 政信
沖電気工業 (株) 基盤技術研究所
著作論文
- 電子供給層と電流制限層を設けたEL素子の発光特性
- 電子供給層を用いたELパネルの発光特性
- 薄膜ACELパネルの最適エージング法
- ゾルゲル法によるPZT薄膜の構造および強誘電体特性に及ぼす仮焼成温度の効果
- 湿式法による導電性酸化物電極が強誘電体薄膜の特性に与える影響
- 希土類元素酸化物粉末のAC-PDP印刷保護膜への適用
- アルカリ土類金属-希土類元素複合酸化物粉末のAC-PDP印刷保護膜への適用
- AC-PDP印刷保護膜に用いるMgO粉末の検討
- AC-PDP用MgO印刷保護層の膜質に対するMgOバインダ添加効果
- アルカリ土類金属-希土類元素複合酸化物形成液のAC-PDP保護膜への適用
- MgO粉末の製造方法がAC型PDP印刷保護膜の活性化に及ぼす影響
- AC型PDP用のスクリーン印刷保護膜におけるMgO液体バインダの検討
- AC-PDP用印刷MgO保護膜の均一性向上の検討
- AC-PDPのMgOスクリーン印刷保護膜におけるバインダーの添加効果
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 交流バイアス磁界を用いた高感度巨大磁気抵抗センサ用スピンバルブ膜の開発
- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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- MOCVD選択成長による低オーミックコンタクト形成
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高い相互コンダクタンスを有するリセスゲート窒化物半導体FET
- 高周波高出力GaN-HEMTにおける熱設計 (デバイス特集)
- 交流バイアス磁界を用いた高感度GMRセンサ
- NiOスピンバルブ膜の高感度磁気センサおよび不揮発性メモリへの応用
- NiOスピンバルブ膜の高感度磁気センサおよび不揮発性メモリへの応用