高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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高周波高出力電力デバイスとして期待されているAlGaN/GaN-HEMTにおいて, 結晶成長用の基板材料であるサファイア, Si, SiC, ZnOやGaN等の熱伝導率は, デバイスの安定動作に重要な役割を果たす.熱伝導率は熱抵抗に反映され, 大きな熱抵抗は動作時のデバイスの温度上昇引き起こし, 電気特性の悪化, 信頼性の低下の要因となる.熱伝導率4.9W/cm・Kと高いSiCは高出力電力デバイスに適した基板材料であるが, 作製したAlGaN/GaN-HEMTの熱抵抗評価と熱解析結果より, 現在結晶成長に使用しているSiC基板の動作時の熱伝導率は3.0W/cm・K程度の低い値を得た.また, それぞれの熱抵抗は, 同程度の値が観測された.これらの結果は, 安価なSi基板を用いた高出力電力デバイスの実現を意味する.本報告は, AlGaN/GaN-HEMTの高電力密度特性を有効に活用するために, デバイスの熱設計が重要な検討材料であることを示す.
- 2005-01-11
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
見田 充郎
沖電気工業
-
見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
関 昇平
沖電気工業
-
海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
-
戸田 典彦
沖電気工業
-
佐野 芳明
沖電気工業
-
伊藤 正紀
沖電気工業
-
大来 英之
沖電気工業
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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