高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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SiC基板上AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーを作製し、DC、及び変調特性を評価した。電源電圧15V、2GHzにおいて、0.7x300μm ゲートデバイスは相互コンダクタンス47mS,最大RF出力19.6dBm,変換利得11dBの特性を示した。電源電圧15V以上では、電流容量に余裕があったが、デバイス耐圧の制限により、素子が破壊した。この結果は電極間隔の最適化による耐圧の向上とゲート幅の増加で、AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTがW級ミキサーを実現できることを示唆するものである.
- 2004-10-15
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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