F帯方形導波管の気密封止構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
100GHzを超えるミリ波システムを長期間屋外で運用するためは,伝送路に使用される導波管を封止し,システム内部への外気流入を抑制する必要となる.しかしながらミリ波帯は短波長であるため,封止材および封止構造が,RF信号の周波数特性に影響を及ぼし,システム性能を悪化させる要因となる.本課題を解決するため,F帯(90-140 GHz)電磁波を広帯域で伝搬させることが可能な封止板と,それらを積層化することによって高い設計精度で広帯域特性を得る導波管封止構造を提案した.120GHz帯無線機の使用周波数をターゲットとして設計された封止構造は所望の周波数特性を満足し,かつMIL-STD-883Fの気密性能に準拠することを確認した.
- 2011-11-17
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
枚田 明彦
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
神戸市立王子動物園
-
高橋 宏行
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
-
久々津 直哉
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
高橋 宏行
日本電信電話株式会社
-
竹内 淳
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
高橋 宏行
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所 スマートデバイス研究部
-
枚田 明彦
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
枚田 明彦
日本電信電話(株) Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
竹内 淳
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
久々津 直哉
日本電信電話株式会社 マイクロシステムインテグレーション研究所
-
久々津 直哉
日本電信電話株式会社
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
-
竹内 淳
日本電信電話株式会社
関連論文
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- 50-Gbit/sフィードスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール
- B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-12-65 並列型A/D変換器用比較器の回復時間に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-12-15 3bit 20Gsps A/D変換器モジュール(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-7 40G光伝送用電気分散補償(DFE)IC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-6 低群遅延偏差InP HBTフィードフォワード等化ICの一検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- C-10-26 モノリシック集積化のためのクロック抽出回路
- 感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線
- B-10-115 デュオバイナリCS-RZ符号伝送におけるSSB直接検波による分散耐力の拡大
- B-10-96 モノリシックデジタルOEIC受信モジュールを用いた43Gbit/s, 200Km無中継伝送実験
- C-2-20 120GHz帯10Gbit/sデータ伝送用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-95 HEMT MMICを使用した120GHz帯ミリ波無線による10Gbit/sデータ伝送(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-2-7 F帯ミリ波無線受信機用チューナブルフィルタ(CS-2.可変マイクロ波回路,シンポジウム)
- C-14-16 120GHz帯ミリ波無線の伝送特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-134 120 GHz帯ミリ波無線の降雨減衰特性(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- CI-1-6 120GHz帯無線リンクとモジュール技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-2-85 120GHz帯無線の偏波多重通信に向けた基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 40Gbit/s光通信用 Digital OEIC
- 50-Gbit/sフィールドスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 50-Gbit/sフィールドスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-11-2 ミリ波・テラヘルツ波無線通信の最近の動向(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- C-2-53 イメージング用120GHz帯モノリシック集積型アンテナアレー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-2-25 デバイスレベル負帰還回路を用いたマイクロ波帯低歪みパワーFET
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
- 超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
- B-10-149 デュオバイナリキャリア抑圧RZ符号の提案と100GHz間隔8×43Gbit/s波長多重伝送への応用
- B-10-81 380ps/nmの分散トレランスをもつ完全符号化40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた8チャネルWDM伝送
- C-10-13 多層配線構造を有するGaAs MESFETを用いた分布型セレクタIC
- 0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- B-5-124 120GHz帯無線による10Gbit/sデータの5km伝送(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
- ソース/ドレイン上に選択W層を形成した1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXの特性
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- C-14-6 InP HEMTミリ波発振器からの60GHz帯信号の光による変調(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-2-83 120GHz帯無線リンク用10Gbit/s QPSK変復調モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- CS-8-1 超100GHz InP HEMT回路(CS-8.超100ギガ・デバイスおよびシステム技術の将来展望,シンポジウムセッション)
- 水素パッシベーション法によるW-選択CVD技術と浅接合コンタクト形成への応用
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- B-5-140 OFDM変調波入力時のパワーアンプ歪の改善に関する一検討 : 2-Tone入力時の相互変調歪補償との相関
- C-10-9 W帯ギルバートセルミクサ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-14-11 10 ギガビット無線リンク用高指向性フォトニックエミッタ
- CP-1-3 120GHz帯10-Gbit/sミリ波無線通信装置(CP-1. ギガビットワイヤレス通信技術の今後を考える,パネルセッション,ソサエティ企画)
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-14 分布ミキサにおける方向性結合作用を用いたローカルリーク抑制法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- F帯方形導波管の気密封止構造
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 光技術及び電子回路技術を使用した屋外用120GHz帯無線技術