0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
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概要
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マルチメディアの進展に伴い基幹伝送システムでは 10Gbit/s を超えるさらなる大容量化が要求される。 GaAs MESFET は40Gbit/s級システムを実現するデバイスとして有力な一候補である。今回、ゲート長0.15μm GaAs MESFET を用いて40Gbit/sダイナミック識別器を実現した。さらに、性能比較のため搭載したスタティック識別器、および分周器についても良好な結果が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
-
米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
村田 浩一
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
米山 幹夫
NTT 光ネットワークシステム研究所
-
徳光 雅美
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 康一
九州工大
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