C-2-10 810°移相可能な電圧制御ベクトル合成型移相器IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-03-02
著者
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
Ntt未来ねっと研究所
-
山中 祥吾
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
-
野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
-
長谷 宗彦
日本電信電話株式会社
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
村田 浩一
神戸市王子動物園
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社
-
長谷 宗彦
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
山中 祥吾
日本電信電話株式会社ntt未来ねっと研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
長谷 宗彦
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
山中 祥吾
日本電信電話(株)NTT未来ねっと研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
関連論文
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- 50-Gbit/sフィードスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール
- B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-12-65 並列型A/D変換器用比較器の回復時間に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-12-15 3bit 20Gsps A/D変換器モジュール(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-7 40G光伝送用電気分散補償(DFE)IC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-6 低群遅延偏差InP HBTフィードフォワード等化ICの一検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- C-10-26 モノリシック集積化のためのクロック抽出回路
- B-10-115 デュオバイナリCS-RZ符号伝送におけるSSB直接検波による分散耐力の拡大
- B-10-96 モノリシックデジタルOEIC受信モジュールを用いた43Gbit/s, 200Km無中継伝送実験
- C-2-20 120GHz帯10Gbit/sデータ伝送用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-95 HEMT MMICを使用した120GHz帯ミリ波無線による10Gbit/sデータ伝送(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-2-7 F帯ミリ波無線受信機用チューナブルフィルタ(CS-2.可変マイクロ波回路,シンポジウム)
- C-14-16 120GHz帯ミリ波無線の伝送特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
- C-12-7 データパタン無依存10Gbit/sCDRIC
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器
- C-12-19 相比較の三値化によるCDR回路のジッタ抑圧
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-7 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTを用いた低消費電力・高速SCFLインバータ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-6 InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-10 810°移相可能な電圧制御ベクトル合成型移相器IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-16 InP HBTによる24-GS/s 6-bit R-2R型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-12 単電圧制御で360°移相可能なベクトル合成型移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
- C-10-15 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのROSA実装時における群遅延特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのESD高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 (マイクロ波)
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 (電子デバイス)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (マイクロ波)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用フォトダイオード・トランスインピーダンスアンプ (特集 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用光部品技術の研究開発)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (電子デバイス)
- C-10-12 超高速DACのダイナミック特性向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-5 ベクトル合成型移相器ICの広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-10-37 高速DACを用いた171 Gb/s PDM 16-QAMの1440km伝送(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-10-14 光多値伝送に向けた高速D/A変換器モジュール(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-40 小型表面実装パッケージ入り32GHz移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)