810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (電子デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子情報通信学会の論文
• 2011-01-13

著者

• 野坂 秀之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 野坂 秀之

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社

関連論文

• 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
• B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
• C-12-65 並列型A/D変換器用比較器の回復時間に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-15 3bit 20Gsps A/D変換器モジュール(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-10-6 低群遅延偏差InP HBTフィードフォワード等化ICの一検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
• InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
• C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
• 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
• SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
• SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
• 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
• 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
• C-12-7 データパタン無依存10Gbit/sCDRIC
• 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
• InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
• InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
• InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
• アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
• InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器
• C-12-19 相比較の三値化によるCDR回路のジッタ抑圧
• C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
• C-10-9 ダイナミック型識別器のリタイミング特性改善
• C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
• 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
• アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
• アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• C-10-7 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTを用いた低消費電力・高速SCFLインバータ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-6 InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-10 810°移相可能な電圧制御ベクトル合成型移相器IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• C-10-16 InP HBTによる24-GS/s 6-bit R-2R型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-12 単電圧制御で360°移相可能なベクトル合成型移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
• B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
• C-10-15 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのROSA実装時における群遅延特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-14 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのESD高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 未来を拓く先端技術 偏波分散耐力向上受信フロントエンドIC技術
• 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 (マイクロ波)
• 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 (電子デバイス)
• 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (マイクロ波)
• C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
• InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
• C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
• 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
• InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
• 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
• InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
• 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用フォトダイオード・トランスインピーダンスアンプ (特集 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用光部品技術の研究開発)
• 任意分数設定型フラクショナルN・PLLのスプリアス低減技術
• 波形処理型DDSの検討
• 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (電子デバイス)
• C-10-12 超高速DACのダイナミック特性向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-5 ベクトル合成型移相器ICの広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 対称構造の遅延発生器を用いた位相補間型DDS
• 遅延回路を用いた位相補間型DDSの検討
• 広帯域D/Aによる二重積分器を用いた周波数シンセサイザ
• 二重積分器を用いた周波数シンセサイザの検討
• B-10-37 高速DACを用いた171 Gb/s PDM 16-QAMの1440km伝送(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
• C-10-14 光多値伝送に向けた高速D/A変換器モジュール(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-40 小型表面実装パッケージ入り32GHz移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
• InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
• 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器 (マイクロ波)
• 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器 (電子デバイス)
• C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-8 InP HBTドライバ回路の高速化と高波形品質化の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• C-10-13 フィードスルー型パッケージを用いた超高速InP-HBT DACモジュール(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-12 A low-power wideband InP-HBT 2^7-1 PRBS Generator
• C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-8 F帯フルカバースペクトル分析に向けたMMICミキサ回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク