未来を拓く先端技術 偏波分散耐力向上受信フロントエンドIC技術
スポンサーリンク
概要
著者
-
福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
関連論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 共鳴トンネル3値量子化回路を用いた超高速アナログ・デジタル変換器
- B-10-78 40Gbit/s NRZ-DQPSK信号のDGD耐力改善と50GHz間隔ROADMノード通過特性(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-12-65 並列型A/D変換器用比較器の回復時間に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-12-15 3bit 20Gsps A/D変換器モジュール(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-6 低群遅延偏差InP HBTフィードフォワード等化ICの一検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- B-10-47 CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた55波×86Gbit/s、375km伝送実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-7 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTを用いた低消費電力・高速SCFLインバータ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- C-3-48 集積型コヒーレント受信光フロントエンドモジュール技術(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-6 InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-10 810°移相可能な電圧制御ベクトル合成型移相器IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-16 InP HBTによる24-GS/s 6-bit R-2R型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-12 単電圧制御で360°移相可能なベクトル合成型移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-10-15 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのROSA実装時における群遅延特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのESD高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 未来を拓く先端技術 偏波分散耐力向上受信フロントエンドIC技術
- BS-7-7 40G光伝送用電気分散補償IC(BS-7. 「偏波への挑戦」〜光通信システムにおける現状と課題〜,シンポジウムセッション)
- 共鳴トンネル3値量子化器を用いたΔΣ変調器
- 共鳴トンネル3値量子化器を用いたΔΣ変調器
- C-10-19 RTD多値量子化器を用いたΔΣ変調器の基本設計
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (マイクロ波)
- B-10-38 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅器を用いた20.4Tb/s(204×111Gb/s)大容量伝送実験(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- B-10-57 111GB/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s伝送実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- 111 Gb/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s大容量伝送実験((フォトニック)IPネットワーク技術,(光)ノード技術,WDM技術,一般)
- 111Gb/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s大容量伝送実験
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用フォトダイオード・トランスインピーダンスアンプ (特集 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用光部品技術の研究開発)
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-10-6 ベースバンド並列帰還アンプの低電源電圧化法
- C-10-15 共鳴トンネルダイオードを用いたMOBILEの動作速度解析
- C-2-23 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた復調回路
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- RTDとHEMTを用いた新しい構成の高速フリップフロップ回路
- RTDとHEMTを用いた新しい構成の高速フリップフロップ回路
- RTDとHEMTを用いた新しい構成の高速フリップフロップ回路
- 共鳴トンネルダイオード/HEMT集積回路技術
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC (電子デバイス)
- バランス型フォトダイオードモジュール技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- A-5-6 光CDMAにおける拡散符号方式の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- A-5-43 CDMAを用いた光マルチチャンネルアクセス技術の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- C-2-12 デジタルフィルタを用いたDDS
- C-2-11 無線携帯端末搭載を目指した超低消費電力DDS-IC(株)
- デジタルフィルタを用いたDDSの検討
- 超高速共鳴トンネル多値回路 : 量子効果デバイスの新しい可能性
- 超高速共鳴トンネル多値回路 : 量子効果デバイスの新しい可能性
- 共鳴トンネル3値量子化回路を用いた超高速アナログ・デジタル変換器
- 量子細線における電流揺らぎ
- C-10-12 超高速DACのダイナミック特性向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-5 ベクトル合成型移相器ICの広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-14 光多値伝送に向けた高速D/A変換器モジュール(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-40 小型表面実装パッケージ入り32GHz移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 InP HBTドライバ回路の高速化と高波形品質化の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-3-30 VOA集積・小型デジタルコヒーレント光受信器(C-3.光エレクトロニクス)
- C-10-10 28Gbit/s級ドライバ回路実現に向けたプリエンファシス機能の基本検討(C-10.電子デバイス)
- InP MZM向け低消費電力線形ドライバモジュール(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
- InP MZM向け低消費電力線形ドライバモジュール(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)