共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
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概要
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共鳴トンネルHEMT (RTHEMT: Resonant-Tunneling High Electron Mobility Transistor)を用いた逓倍器について報告する。RTHEMTは強い非線形性を持っているため、逓倍器に適用した場合に低い入力電力での動作が期待できる。入力周波数が2.4 GHz、入力電力レベルが-10 dBmのとき、変換利得は1.5 dBであった。消費電力はわずか4 mWで従来のGaAs MESFETを用いた逓倍器の約1/5という良好な結果が得られた。また、反射損失は2.4 GHzで最大となり、6 dBであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-03
著者
-
福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
東京理科大学
-
村口 正弘
Nttエレクトロニクス
-
福山 裕之
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
川島 宗也
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
川島 宗也
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
川島 宗也
Ntt未来ねっと研究所
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
林 等
NTT未来ねっと研究所
-
岡崎 浩司
Ntt 未来ねっと研
-
岡崎 浩司
NTT未来ねっと研究所
-
村口 正弦
NTTワイヤレスシステム研究所
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
松崎 秀昭
Ntt フォトニクス研
-
村口 正弘
東京理大
-
松崎 秀昭
NTTフォトニクス研
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