80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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InP HBTを用いた1:4デマルチプレクサICの80Gbit/s動作について報告する。IC構成上の特徴は、(1)消費電力を抑制する多相クロックアーキテクチャの使用、及び(2)高速動作部での高コレクタ電流密度設計の2点である。また80Gbit/sという超高速動作を実証するべく、ICのデータ源として2種類の超高速パルスパタン発生器(純粋電気型・光電融合型)も新たに開発した。上記技術の組み合わせにより、本ICの80Gbit/s動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-11
著者
-
柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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