低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
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概要
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低駆動電圧で高速動作可能な進行波電極型半導体マッハツェンダ変調器を開発した。本変調器には、導波路構造に新たに考案した「n-i-n構造」を採用している。この構造では、インピーダンス整合、及び、速度整合が容易に両立できることやp型クラッド層に起因する電気信号の伝搬損失や光の吸収損失を回避できるという特長がある。これによって、40GHz以上の高い周波数帯域を持つ変調器を実現することに成功した。また、プッシュプル駆動用のマッハツェンダ変調器モジュールを開発し、1.3V_<pp>(差動駆動)で40Gbit/sにおいて良好なアイ開口、ならびに、エラーフリー動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-28
著者
-
柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
山田 英一
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
菊池 順裕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山田 英一
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
-
八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
菊池 順裕
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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